Strasbaugh STB P300 6EH

Strasbaugh STB P300 6EH

Integrated microsystems laboratory (MEMS) / Chemical / Mechanical Polishing / Polishing and planarisation

Strasbaugh STB P300 6EH

Supplier :

Model :

Purpose :

Polishing silicon, silicon dioxide, copper and tungsten on 200 mm wafers

CAPABILITY:

Automated wafer handling

Compatible cleaning modules for copper/tungsten through-silicon-via processes

Standard silicon and polysilicon polishing

Standard silicon oxide polishing and planarization

Standard copper planarization

Standard tungsten planarization

Thickness range of wafers: 300 – 1200 µm

Post-CMP wafer-to-wafer thickness non-uniformity: 9% (3 sigma)

Post-CMP polishing within wafer thickness non-uniformity: 15% (3 sigma)

In-situ metrology with end-point detection

Dry-in, dry-out with in-situ clean operation

Double-side scrub, megasonic clean

Bulk delivery of slurries and chemicals

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