Plateforme entièrement automatisée de traitement de wafers de 200 mm (compatible Si ou saphir), conçue pour soutenir la fabrication avancée de dispositifs quantiques grâce à une plateforme robotisée centrale de manipulation des wafers opérant entièrement sous ultravide (UHV) (tous les transferts de wafers étant effectués sous conditions UHV continues). L’équipement est installé dans une configuration « through-wall » (environnement Classe 10 / ISO 4 sur la face de traitement des wafers). Les flux de procédés sont exécutés à travers plusieurs chambres sans bris du vide entre les étapes, minimisant la contamination, préservant la qualité des interfaces et garantissant des propriétés matériaux hautement reproductibles.

• Chambre de dépôt par pulvérisation cathodique UHV pour films minces de haute qualité, supportant notamment les matériaux Nb, NbN, Ti, TiN, NbTiN et Ta, largement utilisés dans les empilements supraconducteurs et les dispositifs quantiques (incluant les applications supraconductrices, les résonateurs et les dispositifs quantiques).
  • Platine porte-substrat rotative avec température jusqu’à 800 °C
  • Supporte les procédés de pulvérisation DC, DC pulsé, HiPIMS et RF
  • Capacité de pulvérisation réactive sous N₂
  • Utilisation simultanée de deux cibles de pulvérisation (co-dépôt, matériaux multiples compatibles)
  • Détecteur RHEED et Spectroscopie Auger Électronique [AES] in situ
• Chambre UHV dédiée au ion milling pour la préparation des surfaces, le nettoyage, l’élimination des oxydes natifs et les procédés de désorption in situ
  • Température du substrat de RT à 400 °C
  • Platine porte-substrat rotative et inclinable
• Système UHV dédié à l’évaporation d’aluminium optimisé pour la fabrication de jonctions Josephson Al–AlOx–Al (JJ).
  • Température du substrat de RT à 400 °C
  • Platine porte-substrat rotative et inclinable
  • Évaporateur e-beam d’aluminium à multiples creusets incluant un creuset Ti dédié à l’opération de getter au titane
  • Optimisé pour les procédés d’évaporation angulaire de type Manhattan et pont Dolan. La compensation brevetée du dépôt permet une non-uniformité d’épaisseur inférieure à ±5 %.
  • Chambre d’oxydation intégrée directement au-dessus de la chambre d’évaporation permettant l’oxydation sans transfert ni repositionnement du wafer
    • Supporte les procédés d’oxydation statique et dynamique optimisés pour la fabrication in situ de jonctions Josephson AlOx
    • Capacité d’oxydation assistée par ozone
    • Ellipsométrie in situ au centre du wafer avec détection automatique du point final
    • Analyseur de gaz résiduel (RGA) intégré pour la qualification et la surveillance de la chambre avant procédé
• Chambre secondaire d’oxydation UHV avec capacité optionnelle de recuit à haute température, non utilisée simultanément avec les fonctions d’oxydation
  • Supporte les procédés d’oxydation statique et dynamique optimisés pour la fabrication in situ de jonctions Josephson AlOx
  • Capacité d’oxydation assistée par ozone
  • Ellipsométrie in situ au centre du wafer avec détection automatique du End-Point.
  • Analyseur de gaz résiduel (RGA) intégré pour la qualification et la surveillance de la chambre avant procédé
  • Capacité de recuit jusqu’à 1000 °C pour des applications de recristallisation, transformation de phase et optimisation structurale des matériaux
• Plateforme entièrement automatisée avec contrôle logiciel avancé et systèmes de métrologie in situ intégrés.
  • Gestion automatisée par cassette de jusqu’à 10 wafers par lot
  • Ellipsométrie pour le suivi de l’oxydation in situ et la détection du point final
  • Microbalance à cristal de quartz (QCM) pour le contrôle précis de la vitesse de dépôt et de l’épaisseur des métaux
  • RHEED (Reflection High-Energy Electron Diffraction) pour le suivi en temps réel de l’état de surface et de la structure cristalline
  • Spectroscopie Auger électronique (AES) pour l’analyse de composition de surface avant, pendant et après procédé