CAPACITÉ:    

Entrée / sortie en plateau JEDEC

Précision : +/- 3 µm @ 3 sigma, cpk 1,33

Fonction d’étalonnage automatique pour corriger les changements thermiques au fil du temps

Caméra de reconnaissance simultanée avec contrôle de température

Capacité puce à substrat et puce à tranche

Tête de placement pour puce renversée

Tête de compression thermique :

• Compression : 5N-490N
• Température de la tête : jusqu’à 500°C
• Température du substrat : jusqu’à 250°C
• Température de l’aire de travail en céramique pour tranche de 300mm : jusqu’à 200°C

Système d’ajustement du parallélisme en 4 points

Placement multi-puces en une seule passe

Station d’immersion de flux

Ramassage sur tranche (jusqu’à 12 pouces), banque gaufrées ou GEL-PACK (2 x 2 pouces)

Changeur d’outils automatique à 2 positions

Capacité SEC / GEM

Scanner de wafers et cartographie électronique des wafers

Système de reconnaissance de motif avec bord, niveau de gris, motif et point d’encre

Taille de tranche 150/200/300 mm sur cadre de tranche de 300 mm

Quantité maximale/tranche : x = 200 puces, y = 200 puces

Taille du cadre 375 mm

Dimension de composante : 1 mm à 35 mm

Épaisseur de composante : 0,05 à 7 mm