CAPACITÉ:    

Gestion automatisée des tranches

Modules de nettoyage compatibles pour les processus via cuivre / tungstène via silicium

Polissage standard du silicium et du polysilicium

Polissage et planarisation standard de l’oxyde de silicium

Planarisation standard du cuivre

Planarisation standard du tungstène

Plage d’épaisseur des tranches: 300 – 1200 µm

Non-uniformité d’épaisseur de tranche à tranche post-CMP: 9% (3 sigma)

Polissage post-CMP dans la non-uniformité de l’épaisseur de la tranche: 15% (3 sigma)

Métrologie in situ avec détection de point final

Séchage, séchage avec opération de nettoyage in situ

Gommage double face, nettoyage mégasonique

Distribution en vrac des suspensions et des produits chimiques