CAPACITÉS : 

Champs d’application : 

• Intégration laser sur wafer (puces III-V sur wafer photoniques en silicium) 
• Placement de puces avec haute précision (positionnement de lentilles passives) 
• Fusion locale et rapide d’un alliage eutectique (zone affectée thermiquement < 1 mm²) 

Spécifications : 

• Précision de placement de ± 0,2 µm à 3 sigma 
• Compatible avec les applications de Die Attach et Flip Chip sur wafer ou puce individuelle 
• PID sur la précision de placement pour stabiliser les dérives de procédé 
• Calibration quantitative du parallélisme 
• Capacité de soudure eutectique in-situ 
• Déposition d’époxy (pression temporelle et jetting) 
• Capacité de polymérisation UV après placement 
• Contrôle actif de la force de placement de 0,1 à 20 N