CHAMPS D’APPLICATION :

• Intégration laser sur wafer (puces III-V sur wafer photoniques en silicium)
• Placement de puces avec haute précision (positionnement de lentilles passives)
• Fusion locale et rapide d’un alliage eutectique (zone affectée thermiquement < 1 mm²)

SPÉCIFICATIONS :

• Précision de placement de ± 0,2 µm à 3 sigma
• Compatible avec les applications de Die Attach et Flip Chip sur wafer ou puce individuelle
• PID sur la précision de placement pour stabiliser les dérives de procédé
• Calibration quantitative du parallélisme
• Capacité de soudure eutectique in-situ
• Déposition d’époxy (pression temporelle et jetting)
• Capacité de polymérisation UV après placement
• Contrôle actif de la force de placement de 0,1 à 20 N