Laboratoire intégré des microsystèmes (MEMS) / Gravure sèche / Gravure de silicium
SPTS Versalis Rapier Module
Gravure sèche de Silicium
CAPACITÉ:
Module SI DRIE
Source de plasma double brevetée avec zones de plasma découplées primaires et secondaires contrôlées indépendamment
Excellente uniformité
Matériel : Si
Rapport d'aspect : Jusqu'à 40:1
Taux de gravure : Jusqu'à 8µm/min
Angle du profil : De 88° à 92° ± 0.1°