Laboratoire intégré des microsystèmes (MEMS)

Laboratoire intégré des microsystèmes (MEMS)

Le laboratoire MEMS du C2MI est doté de salles blanches de classe 10 et de classe 1 à la surface des tranches. L’infrastructure est adaptée autant au micro-usinage de couche de surface qu’à celui du silicium. Le C2MI est doté de lignes de production pour la fabrication et l’encapsulation de MEMS sur des tranches de 200 mm.

Micro-usinage de surface

Contrairement au micro-usinage en vrac, où un substrat de silicium est gravé sélectivement pour produire des structures, le micro-usinage de surface s’appuie sur microstructures par dépôt et gravure des différentes couches structurelles sur le dessus du substrat.

Généralement, le polysilicium est couramment utilisé comme l’une des couches et du dioxyde de silicium est utilisé comme une couche sacrificielle qui est ensuite éliminée ou gravée pour créer le vide nécessaire dans l’épaisseur. Les couches ajoutées sont généralement très minces et leur taille varie de 2 à 5 micron.

Le principal avantage de ce procédé d’usinage est la possibilité de réaliser des microsystèmes monolithiques dans lesquels l’électronique et les composantes mécaniques sont intégrés dans le substrat. La surface micro-usinée des composantes est plus petite par rapport à leur homologue, le micro-usinage de volume. Étant donné que les structures sont construites au-dessus du substrat et non à l’intérieur, les propriétés du substrat ne sont pas aussi importantes que le micro-usinage de volume, et les tranches de silicium coûteuses peuvent être remplacées par des substrats moins dispendieux, comme le verre ou le plastique.

La taille des substrats peut aussi être beaucoup plus grande qu’une plaquette de silicium, et le micro-usinage de sous-surface est utilisé pour produire de grands substrats TFT sur la zone de verre pour écrans plats. Cette technologie peut également être utilisée pour la fabrication de cellules solaires à couches minces, qui peuvent être déposées sur le verre, mais également sur des substrats de PET ou d’autres matériaux non rigides.

Micro-usinage sous-surface

La technique de micro-usinage sous-surface est un procédé utilisé pour produire des systèmes microélectromécaniques (MEMS). Contrairement à la technique de micro-usinage de surface, qui utilise une succession de dépôt de film mince et la gravure sélective, le micro-usinage sous-surface définit les structures en attaquant sélectivement l’intérieur d’un substrat. Alors que le micro-usinage de surface crée des structures au-dessus d’un substrat, le micro-usinage en vrac produit des structures à l’intérieur du substrat.

Habituellement, les tranches de silicium sont utilisées comme substrats pour le micro-usinage sous-surface, car elles peuvent être gravées de façon anisotrope par voie humide, formant des structures très régulières. La gravure humide utilise généralement des solvants liquides alcalins, comme l’hydroxyde de potassium (KOH) ou l’hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAH) pour dissoudre le silicium qui a été exposé lors de l’étape de masquage photolithographique. Ces solvants alcalins dissolvent le silicium de façon hautement anisotrope, avec des orientations cristallographiques.

Cette dissolution agit jusqu’à 1000 fois plus vite que les autres. Une telle approche est souvent utilisée avec des orientations cristallographiques très spécifiques dans le silicium brut pour produire des rainures en forme de V. La surface de ces rainures peut être atomiquement lisse si la gravure est effectuée correctement, et les dimensions et les angles peuvent être définis avec précision.

Métrologie

Outil de metrologie 2D/3D
Inspection infrarouge
Inspection de couches minces
Inspection des défauts et décompte des particules

Lithographie

Gravure sèche

Gravure de relâchement
Décapage
Gravure dielectrique
Gravure de métal
Gravure de silicium
Décapage

Gravure humide

Gravure de silicium
Gravure d'oxide, nitride et aluminium
Nettoyage de tranche

Collage de tranche

Collage de tranche

Dépôt de couche mince

Dépôt chimique phase vapeur à basse pression / LSN
Dépôt chimique phase vapeur par plasma
Diffusion / Oxydation
Dépôt de vapeur chimique à basse pression / TEOS
Dépôt chimique phase vapeur à basse pression / ISDP

Traitement thermique

Traitement thermique
Pression sous-atmosphérique
Fournaise de soudure de bille

Polissage chimique / mécanique

Polissage et planarisation

Décollage de tranches

Décapage de résine

Décapage de résine
Décapage de résine
Décapage de résine

Manutention des tranches

Placage

Electrodeposition

RECHERCHE

Mots-clés
Catégorie

En naviguant sur notre site, certains témoins peuvent être conservés dans votre navigateur ou récupérés à partir de celui-ci. Ces informations peuvent porter sur vous, vos préférences ou votre appareil et sont principalement utilisées pour s'assurer que le site fonctionne correctement. Les informations ne permettent pas de vous identifier directement, mais peuvent vous permettre de bénéficier d'une expérience Web améliorée. Parce que nous respectons votre vie privée, nous vous donnons l'opportunité de ne pas autoriser ces témoins.

Close Popup
Paramètres de confidentialité sauvegardés !
Paramètres de confidentialité

En naviguant sur notre site, certains témoins peuvent être conservés dans votre navigateur ou récupérés à partir de celui-ci. Ces informations peuvent porter sur vous, vos préférences ou votre appareil et sont principalement utilisées pour s'assurer que le site fonctionne correctement. Les informations ne permettent pas de vous identifier directement, mais peuvent vous permettre de bénéficier d'une expérience Web améliorée. Parce que nous respectons votre vie privée, nous vous donnons l'opportunité de ne pas autoriser ces témoins.


Google Analytics
Nous suivons les informations utilisateur anonymisées pour améliorer notre site Web.
  • _ga
  • _gid
  • _gat
  • NID
  • 1P_JAR
  • DV

Refuser
Save
Accepter